HBM 负责人Kim Gwi-wook近日在官方公告中声称当前业界HBM技术已经到了新的水平,行业需求促使SK海力士将加速开发过程,最早在 2026 年推出他们的 HBM4E 内存,相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
除了HBM4E外,据IT之家此前报道,有消息称 SK 海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品,而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。
HBM4 / HBM4E的开发“加速过程”无疑显示了AI领域巨头对高性能内存的强劲需求,日益强大的 AI 处理器需要更高内存带宽的辅助。
