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Intel宣布3D XPoint内存明年推出:单条512G起

来源:快科技 | 发表时间:2017/11/15

  今天在UBS全球技术大会上宣布,Intel执行副总、数据中心部门总经理Navin Shenoy在展示中宣布,基于3D XPoint存储技术的DIMM内存条将在2018下半年推出。

  3D XPoint存储芯片由Intel和美光共同研发,目前,Intel已经陆续上市了Optane(傲腾)SSD产品,包括Optane SSD DC P4800X、Optane SSD 900P以及用于HDD加速的Optane 3D XPoint缓存盘。

  理论上,Optane相较普通的MLC SSD有着千倍的速度和耐用性提升(目前实际10倍左右),号称是25年来存储技术的革命性突破。

  按照AnandTech的分析,3D XPoint内存条的顺利推出取决于一些前提条件,包括3D XPoint存储芯片能够达到现行DRAM的低延迟和超高耐用性/速度。目前基于PCIe/NVMe的Optane尽管作为SSD很优秀,但比起内存的瞬时传输速率和延迟,差距仍比较大,耐用性同理。

  第二点是3D XPoint的产能问题。好在昨天,Intel和美光落成了犹他IM厂60号建筑,目的就是增产3D XPoint存储芯片。

  最后一点就是配套支持了,毕竟JEDEC固态存储协会关于NVDIMM-P类型的标准尚未敲定,AT认为兼容DDR4不可能,但TMHW则说早期兼容DDR4是必然的,只是接口略有区别。

  目前,还没有任何CPU主板等平台支持3D XPoint存储技术的内存条,Intel还有很多周边工作要推广,当然,肯定是服务器和数据中心先行先试了。

  值得一提的是,3D XPoint存储芯片将兼顾NAND的非易失性、高密度和DRAM的低延迟、超高速率,规划中,单块模组的容量是512GB,双路服务器可组6TB。

  Intel双眼放光地强调,到2021年,3D XPoint内存条将为其打开80亿美元的“提款机”市场。

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标签:Intel 内存
产品:SDRAM内存 手机内存卡 内存条 DDR内存 DDR2内存 电脑内存 5565反射内存 OEM内存 反射内存交换机 反射内存
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