NAND闪存目前已经发展出了四种形态：SLC单比特单元,性能最好,寿命最长,但成本也最高；MLC双比特单元,性能、寿命、成本比较均衡,目前主要用于高端和企业级产品；TLC三比特单元,成本低,容量大,但寿命越来越短；QLC四比特单元,自然延续了这一趋势。
事实上,经过厂商不断的改进,TLC技术已经十分成熟,无论性能还是寿命都可以满足日常消费甚至企业级应用,目前几乎绝大多数消费级SSD都在用它。
QLC闪存由于采用了四比特设计,每个单元内都有多达16种不同的电压状态,相比TLC又翻了一番,而且又不能把单元面积做的太大,因此控制难度急剧增大。
另外为了避免读写错误,主控搭配QLC闪存时也必须支持更高级的ECC,东芝就发展了自己的QSBC纠错技术,号称比TLC设备上常用的LDPC更加先进。
最关键的来了：东芝宣称,他们的QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环,大大高于业界此前几年预计的100-150次,几乎已经和TLC闪存相当了！
这就意味着,QLC闪存的寿命根本不是事儿,完全可以和TLC一样耐用！
东芝具体是怎么做到的暂未披露,应当是有某种全新的秘密技术,而且很可能已经申请了专利。
动辄几个TB还耐用、便宜的QLC SSD,想想都挺美的……
