概述
电容-电压(c-v)测量广泛用于半导体参数测试方面,尤其是mos cap和mosfet结构。mos(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数,mos电容随外加电压变化的曲线称之为c-v曲线(简称c-v特性),c-v曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度n、氧化层中可动电荷面密度q1、和固定电荷面密度qfc等参数。
系统方案
普赛斯半导体功率器件c-v测试系统主要由源表、lcr表、矩阵开关和上位机软件组成。lcr表支持的测量频率范围在0.1hz~1mhz,源表(smu)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 c-v 测量时,通常在电容两端施加直流偏压,同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10khz 到1mhz之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描,扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流,从而计算出不同电压下的电容值。
功率器件cv测试系统cv测试仪优势
频率范围宽:频率范围10hz~1mhz连续频率点可调;高精度、大动态范围:提供0v~3500v偏压范围,精度0.1%;
内置cv测试:内置自动化cv测试软件,包含c-v(电容-电压),c-t(电容-时间),c-f(电容-频率)等多项测试测试功能;
兼容iv测试:同时支持击穿特性以及漏电流特性测试;
实时曲线绘制:软件界面直观展示项目测试数据及曲线,便于监控;
扩展性强:系统采用模块化设计,可根据需求灵活搭配;