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可控硅通态压降测试台 半导体测试行业

其它参数:
产品介绍:

一、产品简介(供货给北京科研院所)该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的测试设备。该套测试设备主要有以下几个单元组成:1)门触发参数测试单元2)维持电流测试单元3)阻断参数测试单元4)通态压降参数测试单元5)电压上升率参数测试单元6)擎住电流7)门电阻8)计算机控制系统9)合格证标签 打印10)夹具单元;包含平板夹具和模块夹具

二、技术条件主要技术指标:2.1 门触发电压/门触发电流测试单元igt/vgt1.阳电压:12v;2.阳串联电阻:6ω;3.门触发电压:0.3~5.00v&plun;3%&plun;10mv;4.门触发电流:2~450ma&plun;3%&plun;1 ma;2.2 维持电流测试单元ih1. 阳电压:12v;2.预导通电流: >10a,正弦衰减波;3.维持电流: 2~450ma &plun;5%&plun;1 ma;4.测试频率:单次;2.3 通态压降测试单元vtm1.平板器件通态电流:0.10~5.00ka,分辨率:0.01ka,精度&plun;1 0a&plun;5%;2.模块器件通态电流:0.10~2.00ka,分辨率:0.01ka,精度&plun;1 0a&plun;5%;3. 电流上升沿时间:≥5ms;4. 通态压降测试范围: 0.20~10.00v, 分辨率:0.01v,精度&plun;0.1 v&plun;5%;5. 测试频率:单次;2.4 断态电压/断态漏电流vd/id;反向电压/反向漏电流vr/ir测试单元1.阻断电压:0.20~6.00kv,分辨率:0.01kv,精度&plun;0.1 kv&plun;3%;模块单元阻断电压:0.20~4.00kv2. 正反向自动测试:3.正/反向漏电流:0.2~100 ma,分辨率:0.1 ma;精度:&plun;5%&plun;1 ma;4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值;在测试时电压或漏电流超过所 设定的范围则自动保护。5. 测试频率: 50hz2.5 断态电压临界上升率测试单元dv/dt1.电压:1200v,1600v,2000v三档,分辨率:1v,精度&plun;5%;2. 电压过冲范围:<50v&plun;10%3. dv/dt电压上升率三挡选择:dv/dt:800v/μs、1000v/μs、1200v/μs、精度&plun;10%;2.6 擎住电流il:100-1800ma2.7 平板夹具压力范围:6-60kn,气动加压方式

三、功能概述3-1测试功能范围该套测试设备主要可测试以下参数:1.门参数测试:vgt、igt2.维持电流测试:ih3.阻断参数测试:本测试单元可用以测量晶闸管的vdrm、vrrm、idrm、irrm以及整流二管的vrrm、irrm等参数。4.压降单元本测试单元用来测量晶闸管、整流管的vtm、itm、vfm、ifm等参数。5、电压上升率参数测试:dv/dt6、擎住电流il7、门电阻:适合门触发电压在0.95v以上器件测试3-2、测试方法和测试准则及原理满足 iec 60747-6-2000 中关于晶闸管测试的具体规定。

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