irfp150n/irfp260n n沟道场效应晶体管

深圳市星际金华电子公司为你提供  irfp150n/irfp260n n沟道场效应晶体管  价格低廉  现货营销  质量可保证

星际金华供应   irfp150n/irfp260n n沟道场效应晶体管   全新原装正品  量大价优   欢迎咨询

产品规格

irfp150n n沟道场效应晶体管

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源电压（vdss） 100v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 42a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on） 10v

不同 id，vgs 时的 rds on（值） 36 毫欧 @ 23a，10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 4v @ 250μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 110nc @ 10v

vgs（值） ±20v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 1900pf @ 25v

fet 功能 -

功率耗散（值） 160w（tc）

工作温度 -55°c ~ 175°c（tj）

安  装类型 通孔

供应商器件封装 to-247ac

封装/外壳 to-247-3

irfp260n n沟道场效应晶体管

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源电压（vdss） 200v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 50a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on） 10v

不同 id，vgs 时的 rds on（值） 40 毫欧 @ 28a，10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 4v @ 250μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 234nc @ 10v

vgs（值） ±20v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 4057pf @ 25v

fet 功能 -

功率耗散（值） 300w（tc）

工作温度 -55°c ~ 175°c（tj）

安  装类型 通孔

供应商器件封装 to-247ac

封装/外壳 to-247-3

【irfp150n/irfp260n n沟道场效应晶体管】此型号为我司长期现货供应产品，因网上所标价持有不确定性，价格请以当天询问为准，公司产品数量繁多，网上无法一一上传更多产品的有关信息，如有需要请致电与我们联系！！！

星际金华期待广大新老顾客的咨询，我们将竭诚为您服务，感谢您的来电！！！