产品规格
fet 类型 p 沟道
技术 mosfet（金属氧化物）
漏源电压（vdss） 60v
电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 190ma（ta）
驱动电压（ rds on，小 rds on） 4.5v，10v
不同 id，vgs 时的 rds on（值） 4 欧姆 @ 500ma，10v
不同 id 时的 vgs（th）（值） 3v @ 250μa
不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 1.7nc @ 15v
vgs（值） ±20v
不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 23pf @ 25v
fet 功能 -
功率耗散（值） 250mw（ta）
工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）
安 装类型 表面贴装
供应商器件封装 sc-75a
封装/外壳 sc-75a
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