sir820dp金属氧化物场效应晶体管

深圳市星际金华大量提供上乘原装现货供应sir820dp金属氧化物场效应晶体管   量大价优   质量有保证

规格参数值：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源电压（vdss） 30v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 40a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on） 4.5v，10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 2.4v @ 250μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 95nc @ 10v

vgs（值） ±20v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 3512pf @ 15v

fet 功能 -

功率耗散（值） 37.8w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值） 3 毫欧 @ 15a，10v

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 表面贴装

供应商器件封装 powerpak® so-8

封装/外壳 powerpak® so-8

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