分立半导体bsl302sn n沟道场效应晶体管

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规格参数值：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源电压（vdss） 30v  

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）7.1a（ta）

驱动电压（ rds on，小 rds on） 4.5v，10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 2v @ 30μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 6.6nc

电压，耦合至栅极电荷（qg）（）@ vgs 5v  

vgs（值） ±20v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 750pf

电压，耦合至输入电容（ciss）（） @ vds  15v  

fet 功能 -  

功率耗散（值）2w（ta）

不同 id，vgs 时的 rds on（值）25 毫欧 @ 7.1a，10v

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 表面贴装

供应商器件封装p-tsop6-6

封装/外壳sot-23-6 细型，tsot-23-6

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优势货源：

aon7804

as3728

stm32f469nih6tr

ds1-12d

ixgk60n60c2d1

ixxk100n60c3h1

ixgh30n60c2

dpg30c200hb

dss17-06cr

dsb60c45hb

dhg20c600qb

ixgh24n60c4d1

ixfl82n60p

ixa33if1200hb

dh60-14a

ixgh40n120c3d1

ixkt70n60c5

mwi50-06a7

a4931mettr

ds89c21tmx

lm2841ymk-adjl

lt1934is6

bsl302sn

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