irfp264n金属氧化物半导体场效应晶体管

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规格：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源电压（vdss） 250v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 44a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on） 10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 4v @ 250μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 210nc @ 10v

voltage coupled to gate charge（qg）（max） @ vgs 10v

vgs（值） ±20v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 3860pf @ 25v

voltage coupled to input capacitance（ciss）（max） @ vds 25v

fet 功能 -

功率耗散（值） 380w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值） 60 毫欧 @ 25a，10v

工作温度 -55°c ~ 175°c（tj）

安  装类型 通孔

供应商器件封装 to-247-3

封装/外壳 to-247-3

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