spa03n60c3和spa16n50c3场效应晶体管

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产品详细参数：

spa03n60c3

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源电压（vdss） 650v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 3.2a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on） 10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 3.9v @ 135μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 17nc @ 10v

voltage coupled to gate charge（qg）（max） @ vgs 10v

vgs（值） ±20v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 400pf @ 25v

voltage coupled to input capacitance（ciss）（max） @ vds 25v

fet 功能 -

功率耗散（值） 29.7w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值） 1.4 欧姆 @ 2a，10v

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 通孔

供应商器件封装 pg-to220-fp

封装/外壳 to-220-3 整包

spa16n50c3：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源电压（vdss） 560v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 16a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on） 10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 3.9v @ 675μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 66nc @ 10v

voltage coupled to gate charge（qg）（max） @ vgs 10v

vgs（值） ±20v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 1600pf @ 25v

voltage coupled to input capacitance（ciss）（max） @ vds 25v

fet 功能 -

功率耗散（值） 34w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值） 280 毫欧 @ 10a，10v

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 通孔

供应商器件封装 pg-to220-3

封装/外壳 to-220-3 整包

以上型号均为我司热销的产品，因公司产品数量繁多，网上无法一一上传更多产品的有关信息，如没有您所想要的产品信息或图片，请来电联系公司的工作人员，我们将竭诚为您服务！！！

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