ixys(艾赛斯)ixta1r4n100p场效应管

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规格参数：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 1.4a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on） 10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 4.5v @ 50μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 17.8nc @ 10v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 450pf @ 25v

vgs（值） ±20v

fet 功能 -

功率耗散（值） 63w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值） 11 欧姆 @ 500ma，10v

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 表面贴装

供应商器件封装 to-263（ixta）

封装/外壳 to-263-3，d2pak（2 引线 + 接片），to-263ab

公司还低价出售以下型号：

p1020nse2hfb

p1010nsn5dfa

ep2sgx130gf1508c3n

pex8749-ba80bcg

pex8680-aa50bcf

5agxfb5h4f35i3n

5sgxma7h3f35c2nga

5sgxma7h3f35c2n

wm8199scds

stm32f051c8u6tr

mp2939gqk

ps8740bqfn40gtr

drv2604ldgsr

mp86901

w25x40cluxig

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slb9670vq1.2fw6.40

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bcm1113kpbg

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sky77594-31

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tclt1003

attiny5-tshr

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bcm88675cb0kfsbg

max98307ete

isl12028iv30az

ixta1r4n100p

mc908qy4ampe

mpxm2202gs

csr8675c

mk02fn64vlh10

bcm33843mkfsbg

ixfk26n90

ixfk24n100

fm1105

tef6617t

imx253lqr

scs206amc

irs21531

hmc719lp4e

ma46h120

mic38300hyhl

bsc070n10ns3g

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