ipd025n06n/ipd053n08n3g 场效应晶体管

深圳市星际金华实业有限公司为您提供【ipd025n06n/ipd053n08n3g 场效应晶体管】产品价格实在   质量也有保证

星际金华热销【ipd025n06n/ipd053n08n3g 场效应晶体管】原装现货可出售样品   欢迎顾客朋友来电联系

ipd025n06n：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源极电压（vdss）  60v  

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）90a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on）6v，10v

不同 id 时的 vgs（th）（值）2.8v @ 95μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值）71nc @ 10v

vgs（值） ±20v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值）5200pf @ 30v

fet 功能  -  

功率耗散（值）3w（ta），167w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值）2.5 毫欧 @ 90a，10v

工作温度 -55°c ~ 175°c（tj）

安  装类型 表面贴装

供应商器件封装 pg-to252-3

封装/外壳 to-252-3，dpak（2 引线 + 接片），sc-63

ipd053n08n3g：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源极电压（vdss） 80v  

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）90a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on）6v，10v

不同 id 时的 vgs（th）（值）3.5v @ 90μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值）69nc @ 10v

vgs（值） ±20v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值）4750pf @ 40v

fet 功能  -  

功率耗散（值）150w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值）5.3 毫欧 @ 90a，10v

工作温度 -55°c ~ 175°c（tj）

安  装类型 表面贴装

供应商器件封装 pg-to252-3

封装/外壳 to-252-3，dpak（2 引线 + 接片），sc-63

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ipd025n06n

ipd053n08n3g

ipd068n10n3g

bsc028n06ls3g

bsc031n06ns3g

r5f100bcana

rjh65t14dpq

r5f562t7ddfp

pesd5v0h1bsfyl

xc7k160t-2fbg484i

ds2431q

aoz2261qi-10

ncp81151mntbg

idg-2020

mbi5907gdt

xc6slx4-2csg225i

atmxt640t-ccur

itg-3050

alc5621

alc5631

alc5625

alc5645

alc5642

max4444ese

max9234eum

wm8805geds

mc56f8037vlh

mc68332aceh16

mc68711e20cfne2

mc68hc11e1cfne2

mc68hc705c8acfne

mc705c8acpe

mc812a4cpve8

mc908ab32cfue

mc9s08qd4csc

mc9s12xeq384cal

mcf5208cvm166

mchc11f1cfne4r

mcimx283dvm4b

mcimx287cvm4b

mpc8248cvrtiea

mpl3115a2r1

mpx5700ap

mpxa4115ac6u

p1020nxe2hfb

lt3021es8-1.2

s9keazn64amlc

s9keazn64amlh

ltc1387ig

w25n01gvzeig

hmc860lp3etr

xc4vlx100-10ff1513c

smv1145-079lf

mlx90132rlq

cms20i30a

mcimx6u5evm10ac

tja1028tk

ssl21083t

nx20p3000uk

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