tpc8110 p沟道场效应管

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tpc8110：

fet 类型 p 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源极电压（vdss） 40v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 8a（ta）

不同 id 时的 vgs（th）（值） 2v @ 1ma

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 48nc @ 10v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 2180pf @ 10v

fet 功能 -

功率耗散（值） 1w（ta）

不同 id，vgs 时的 rds on（值） 25 毫欧 @ 4a，10v

工作温度 150°c（tj）

安  装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-sop（5.5x6.0）

封装/外壳 8-soic（0.173"，4.40mm 宽）

我司还为您供应以下型号：

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