5n60c为n沟道增强型高压功率mos场效应管。该产品广泛适用于ac-dc开关电源，dc-dc电源转换器，高压h桥pmw马达驱动。
产品特点：
5a,600v，rds(on)(典型值）1.97ω
低电荷、低反向传输电容
开关速度快
漏极—漏极电压（vds）:600v
漏极电流(id):5a
栅源电压（vgs）:±30v
耗散功率（pd）:40w
结温（tj）:150℃
储存温度(tstg):-55~150℃
详细参数：请直接来电或参照产品规格书
深圳市浩畅半导体有限公司是一家贴片二、三极管、场效应管、可控硅、光耦、整流桥堆、稳压ic等产品专业生产加工的公司，拥有完整、科学的质量管理体系。深圳市浩畅半导体有限公司的诚信、实力和产品质量获得业界的认可。欢迎各界朋友莅临参观、指导和业务洽谈。
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