具有灰色金属光泽的晶体。 溶于氢 氟酸 和硝酸 的混酸 中,不溶于水用作镀膜材料,溅射靶材用于制造半导体器件、太阳能电池等用作制造单晶硅的原料,还用于电子工业是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等用于制造半导体分立器件、功率器件、集成电路和外延衬底等。主要用于制多晶硅、单晶硅、硅铝合金及硅钢合金等用于制晶体管、整流器和太阳能电池,还用于制高硅铸铁、硅钢、各种有机硅化 合物等用作制备单晶硅的原料。三氯 氢 硅法将干燥加入合成炉中,与通人的干燥氯 化 氢 气体在280～330℃有氯 化 亚铜催化 剂 存在下进行氯 化 反应,反应气体经旋风分离除去杂质,再用氯 化 钙冷冻盐 水将气态三氯 氢 硅冷凝成液体,经粗馏塔蒸馏和冷凝,除去高沸物和低沸物,再经精馏塔蒸馏和冷凝,得到精制三氯 氢 硅液体。纯度达到7个“9”以上、杂质含量小于1×10-7,硼要求在0.5×10-9以下。提纯后的三氯 氢 硅送人不锈钢制的还原炉内,用超纯氢 气作还原剂 ,在1050～1100℃还原成硅,并以硅芯棒为载体,沉积而得多晶硅成品。其
h2+c12→2hcl
s+3hcl→sihc13+h2
sihcl3+h2→si+3hcl工业生产有坩埚直拉法、悬浮区熔法、中子嬗变掺杂法。
坩埚直拉法拉晶前先将设备各部件、合金石英坩埚、硅多晶和籽晶进行清洁处理。
将硅多晶破碎除去石墨,经丙酮 去油后,进行化 学清洗,用无离子水洗至中性,再经超声波清洗,红外干燥,配料及掺杂,加入单晶炉的合金石英坩埚中,再经抽真空、熔化 ,在流通的氩气氛下,人工引晶放肩和收尾。晶体的等径生长过程中,需根据情况适当调节功率,使其获得直径均匀的产品,经检测、称量,制得硅单晶成品。
悬浮区熔法先将设备和原料清洁处理,把硅多晶切断,磨后用丙酮 去油,进行化 学清洗,用无离子水洗至中性,再经超声波清洗,红外干燥,配料和掺杂,装炉,抽真空或充氩气。在氩气下高频加热进行区熔提纯单晶。预热、引晶、放肩、等径、收尾等过程,由人工控制。再经检测、称量,制得硅单晶成品。
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