成的cmp浆料。产品分别适用于铝合金镜面抛光，不锈钢镜面抛光，大理石和石材精抛工艺。
主要特点
jc-00系列产品具有表面张力低、易清洗、抛光速率高、抛光镜面粗糙度低等特点，非常适用于不锈钢的抛光工艺。直接效果达到不锈钢镜面的光线散射减弱，成像更清晰；水纹现象减弱或消除；本品具抛光及钝化功能，适用于对不锈钢表面要求高度镜面效果的产品。在抛光中根据需要可以优化不同配比，均能达到最佳使用效果。
jc-00系列产品综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，完美性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。
主要用途
jc-005h主要应用于不锈钢的抛光工艺中。
jc-003h主要用于铝合金镜面抛光工艺；
jc-001h主要用于大理石精抛工艺；
基本参数:
ph值 8.5～9.5
比重 1.280-1.295
粘度（稀释后）< 10.0(mpa.s)
磨料粒径 100～120(nm)
磨料浓度 40±2％
使用方法
根据工艺将抛光原浆料按一定比例与去离子水混合后使用；根据抛光设备和抛光切削度合理使用抛光液浓度。
运输及保存
1、运输与存放过程中要避免光直射。
2、运输与存放温度为5℃～50℃。
3、保质期一年，建议半年内使用。
包装规格 25kg/桶
化学机械抛光
这两个概念主要出现在半导体加工过程中，最初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（cmp chemical mechanical polishing ）取代了旧的方法。cmp技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，完美性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。
制作步骤
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（cmp）机理、动力学控制过程和影响因素 研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：
（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂 、催化剂 等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。
（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。
硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
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