ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法,在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。
介绍
ITO 薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等, 但使用最多的是反应磁控溅射法。
ITO膜层的厚度不同,膜的导电性能和透光性能也不同。一般来说,在相同的工艺条件和性能相同的PET基底材料的情况下,ITO膜层越厚,PET-ITO膜的表面电阻越小,光透过率也相应的越小。
参数
高阻抗
高阻抗ITO导电薄膜PET-ITO主要应用于移动通讯领域的触摸屏生产。
产品参数:
面电阻:300~500 Ω/□
面电阻均匀性:MD≤±3%,TD≤±6%
薄膜厚度:0.188±10%
线性度(MD):≤1.5%
全光线透过率:≥86%
表面硬度(铅笔硬度):≥3H
热稳定性:(R-R0)/R: ±20%
热收缩率:MD≤1.0%,TD≤0.8%
加热卷曲:≤10mm
低阻抗
低阻抗ITO导电膜可用于对导电性能要求比较高的领域,如:用于薄膜太阳能电池的透明电极、电致变色器件的电极材料、薄膜开关等领域。
产品参数:
薄膜厚度:0.175±10 mm
雾度:<2%
宽度:406/360±2 mm
粘附:100/100
卷曲:≤10 mm
透过率:≥ 80%
表面电阻:90±15 Ω/□
面电阻均匀性:<7%
热收缩:MD≤1.3,TD≤1.0
热稳定性:
高温:80oC,120hr ≤1.3
低温:-40oC,120hr ≤1.3
热循环:-30oC-80oC ≤1.3
热/湿度: 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3